'F램' 성능향상 신물질 개발

21세기를 선도할 차세대 메모리 반도체로 떠오르고 있는 'F램'의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 새로운 핵심물질이 순수 우리나라 과학진에 의해 개발됐다.특히 이 신물질 개발과정을 정리한 논문이 영국의 세계적인 기초과학저널인 네이처지에 주요논문으로 선정돼 권위있는 관련학계 학자의 리뷰논문과 함께 실려 주목을 받고 있다.

이로써 세계 반도체시장 점유율은 높으면서도 원천기술이 부족해 반쪽짜리 반도체 국가에 머물렀던 우리나라가 명실상부한 반도체 강국으로 도약할 수 있는 계기가 마련됐다.

서울대 노태원(42.물리)교수 연구팀이 이끄는 전이금속 산화물연구실은 13일 지난 91년부터 시작한 F램에 응용할 수 있는 새로운 강유전체 물질 개발에 성공, 그결과를 묶은 논문이 주요논문으로 네이처지 14일자에 게재됐다고 밝혔다.

노교수는 "'비스무스란타늄타이타늄 산화물(BLT)'이라고 이름붙인 이 신물질은 기존 F램 제작에 쓰이는 물질들이 지닌 단점들을 개선한 것으로 앞으로 F램 반도체산업을 한 단계 끌어올릴 것으로 기대된다"고 말했다.