전기 피로현상 완전해결 F램 소자 개발

포항공대는 13일 신소재공학과 장현명(49.사진) 교수 연구팀이 최차세대 반도체 메모리 소자인 F램 PZT 박막 소자의 치명적 결함인 전기적 피로현상을 완전히 해결한 획기적 성능의 메모리 소자를 국내 연구진으로는 처음 개발했다고 밝혔다.PZT 커패시터(소자)는 한번 저장된 정보가 지워지지 않는 비휘발성, 저(底) 전압 작동성, 고속 정보처리 속도(1천만분의 1초), 무제한 정보기록 횟수 등의 장점을 지녀 기존의 D램 소자나 플래시 메모리를 대체할 차세대 메모리 소자인 F램의 주된 소자.

또 F램은 650억회의 반복적인 쓰고 읽기 동작에도 정보가 손실되지 않는 탁월한 성능을 가지고 있어 현재 삼성전자·도시바·히다치 등 세계 유수의 반도체 메이커들이 치열한 개발경쟁을 벌여왔다.

장 교수팀은 현재까지 4종류 이상의 PZT계 신물질 박막을 개발했으며, 이들은 F램 메모리 소자로서 모두 탁월한 성능을 지녔음을 확인했다고 밝혔다.

포항공대 연구팀의 이 같은 연구성과는 현재 D램 반도체 메모리 분야에서 경쟁력을 확보하고 있는 우리나라가 향후 F램 시대에도 이 분야에서 세계 수준의 경쟁력을 확보할 수 있는 원동력이 될 것으로 기대된다.

연구팀의 연구결과는 응용물리 분야의 세계적 권위지인 '어플라이드 피직스 레터'(Applied Physics Letters)에 모두 4편의 논문으로 정리돼 발표될 예정이며, 이에 대한 초기 연구결과는 최근 동 학술지 8월호(8월 13일자)에 게재됐다.

포항.정상호기자 falcon@imaeil.com