최소회도선폭 기술적용 정보저장 기존의 2배

삼성전자는 반도체 상용 제품중 최소 회로선폭인 0.12㎛(100만분 1ｍ)의 공정 기술을 적용한 512메가 D램을 업계 처음으로 개발했다고 20일 발표했다.

삼성전자 메모리 사업부문 황창규 대표이사는 이날 태평로클럽에서 가진 기자간담회에서 "기존 메모리 제품의 기능을 통합한 첨단 512메가 D램 제품으로 시장을 집중 공략해 나가겠다"고 밝혔다.