현대전자-납없는 반도체 첫 개발

현대전자가 최근 국내 최초로 납(Pb) 없는 반도체 패키지 및 반도체 메모리 모듈(Module)을 개발했다.

이번에 개발한 기술은 128M SD램 제품에 적용, 리드프레임의 전기도금 공정과 모듈제조를 위한 표면실장 공정에서 납을 전혀 사용치 않게 된 획기적인 기술.

기존의 D램 제조과정 가운데 전기도금 공정에서 도금 재질은 주석과 납을 일정비율로 혼합 사용했고 표면실장 공정에서 납땜 재질은 주석과 납·은을 일정 비율로 혼합 사용해 왔었다.

현대전자는 이 기술의 개발로 높은 온도에서도 기존의 제품과 동일한 신뢰성을 확보하게 됨은 물론 환경친화적인 반도체 체제를 구축, 선진국의 무역장벽 해소에도 능동적으로 대처할 수 있게 됐다.

구미·박종국기자 jkpark@imaeil.com