포항공대 장현명 교수 연구팀 F램 고집적화 획기적 박막 개발

포항공대 신소재공학과 장현명(49)교수 연구팀이 D램을 대체할 차세대 반도체 메모리 소자인 F램의 고집적화와 정보의 정확도를 획기적으로 높일 수 있는 박막을 개발했다.

연구팀이 개발한 박막은 BNdT(비스무스.네오디미움.티타늄 산화물)계열의 신물질을 이용한 것으로 PZT(납.지르코늄.티타늄산화물)나 SBT(스트론츔.비스무스.티타늄산화물)를 사용한 박막보다 성능이 월등한 것으로 알려졌다.

새로 개발한 박막은 강유전 물질의 성능을 평가하는 자발분극(自發分極)이 매우 크고 1천억회의 반복적인 쓰기와 읽기를 해도 정보가 손실되지 않는 탁월한 성능을 지니고 있다고 개발팀은 밝혔다.

특히 PZT나 SBT박막이 지닌 전기적 피로현상과 낮은 전하유지능력, 소자의 성능 신뢰성과 고집적화에 필수적인 자발분극값이 아주 작고 제작온도가 고온이어서 반도체메모리 소자로서의 결함을 해결한 점이 큰 성과로 받아 들여지고 있다.

연구팀의 연구결과는 미국에서 발간되는 권위있는 물리학 학술지인 피지컬 리뷰 레터(Physical Review Letters) 19일자에 실릴 예정이다.

한편 연구팀은 지난해 8월 전기적 피로현상이 제거된 PZT계열의 박막소자를 세계최초로 개발한데 이어 이번에 한층 성능이 향상된 박막 개발에 성공함에 따라 한국이 향후의 F램 시대에도 세계 선두를 지키는 발판을 마련했다는 평가를 받고 있다.

포항.정상호기자 falcon@imaeil.com