삼성, 144M 램버스 D램 개발

삼성전자는 오는 2000년대 메모리 D램 반도체 시장의 50% 이상을 차지할 것으로 전망되는 1백44M 다이렉트 램버스 D램 단품 및 1백44M바이트급 램버스 D램 모듈을 세계 최초로 개발했다고4일 밝혔다.

1백44M 다이렉트 램버스 D램 제품은 지난 7월 출시한 72M 다이렉트 램버스 D램제품과 동일 성능이면서 용량을 배로 늘린 것으로 램버스 D램을 차세대 고속 D램으로 채용한 인텔과 컴팩, 델등에 출하될 예정이다.