50나노미터급 트랜지스터 국내서 개발

현재의 반도체 제조기술의 한계를 뛰어 넘을 수 있는 새로운 구조의 50 나노미터(㎚, 1㎚=1/1,000,000,000ｍ)급 트랜지스터가 국내연구진에 의해 개발됐다.

한국 과학기술원(KAIST) 전자전산학과 신형철교수 연구팀은 트랜지스터의 소스, 드레인 등 전극 확장영역을 얇게 한 새로운 형태의 소자를 고안하는 한편 이 새로운 구조의 50㎚급 트랜지스터를 개발했다고 7일 밝혔다.

이것은 트랜지스터의 또다른 한 전극인 게이트에 폴리 실리콘으로 만들어진 사이드 게이트를 붙여 전기적으로 가능하게 됐으며 이에 따라 게이트의 길이를 기존의 130㎚에서 50㎚ 정도로 짧게 함으로써 작은 크기의 소자제작 등이 용이하게 된다향후 5~6년후 상용화를 목표로 하고 있는 이 소자는 기가(10억)급 반도체의 1천배 용량을 갖는 초대용량 테라급 반도체 메모리 등 차세대 반도체에 적용할 수 있어 오는 2010년 약 1조달러 규모로 추산되는 세계 반도체산업에서 한몫을 할 것으로 기대된다.