삼성전자-반도체 원가경쟁력 강화

삼성전자는 내년엔 반도체분야에 대한 대규모 투자를 하지 않는 대신 기존설비의 보완 및 미세회로 공정기술 가속화로 원가경쟁력을 강화하는데 주력키로 했다.

26일 업계에 따르면 내년에 설비투자비로 3조원 가량을 책정한 삼성전자는 현재 256메가 D램 등 일부 생산라인에 적용하고 있는 0.12㎛의 미세회로 공정기술을 내년 상반기에 주요 라인으로 확대하는 등 공정기술의 첨단화를 통한 생산량 극대화에 나서기로 했다.

삼성전자는 이에따라 주력 미세회로 공정기술을 올해 0.15㎛에서 내년엔 0.12㎛으로 전환, 본격적인 0.12㎛시대를 열 방침이다.

삼성전자는 이를 통해 올해 30%로 추정되는 D램의 세계시장 점유율을 내년에도30% 수준으로 유지하는 한편 올해 25% 수준인 S램의 점유율은 내년엔 30%로, NAND(데이터저장용) 플래시메모리는 50%로 각각 확대, 시장지배력을 강화할 계획이다.

삼성전자는 또 메모리 반도체의 PC 의존도를 낮춰 휴대폰 등 이동통신기기와 게임기용 메모리 반도체의 신규 수요를 적극 개발하고 그래픽 메모리와 램버스 D램 등의 선행개발에 나서 경쟁업체와의 제품 차별화를 가속화할 방침이다.