현대전자는 지금까지 개발된 복합칩 제조기술중 가장 미세한 회로선폭 기술을 적용한 첨단 주문형 메모리 복합칩의 제2세대 제조기술을 개발했다고 28일 밝혔다.
이번에 개발된 회로선폭 0.21㎛(1㎛은 1백만분의1m)의 제조기술을 적용하면 한개의 칩에 최대 1백28메가D램과 고성능 로직 트랜지스터를 동시에 내장한 복합칩 제조가 가능하다고 현대전자는설명했다.
또 이 기술은 기존의 D램공정과 호환이 가능해 추가투자를 최소화할 수 있고 웨이퍼당 생산량도기존 0.35㎛ 기술보다 2배 이상 늘릴 수 있다.
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