차세대 메모리 사업 본격화

삼성전자가 반도체업계 처음으로 차세대 300㎜ 웨이퍼 라인의 양산과 함께 대용량 메모리 반도체인 512메가 DDR D램 제품의 본격 양산에 들어가는 등 차세대 메모리사업을 본격화하기로 했다.

삼성전자는 또 현재 40% 가량인 범용D램의 비중을 2005년에는 25%로 낮추는 대신 솔루션 D램의 비중을 25%, S램과 플래시 메모리의 비중을 50%로 각각 높이는 등 메모리사업 다각화에 나서 인텔에 이어 세계 2위의 반도체업체로 도약키로 했다.삼성전자 메모리사업부 황창규(黃昌圭)사장은 29일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 "메모리 사업의 다각화 및 경쟁력 극대화를 통해 2005년 메모리 분야 매출 200억달러를 달성하겠다"며 "300mm 웨이퍼를 이용한 메모리 반도체 양산 및 대용량 512메가 D램의 양산을 시작했다"고 발표했다.

삼성전자는 지난 7월말부터 경기 화성 2단지의 11라인내에 300㎜ 웨이퍼 양산라인을 시험 가동, 9월에 양산제품을 확보하고 본격가동에 들어가 대형 컴퓨터업체에 제품을 출시하는 등 세계 반도체업계 처음으로 300㎜ 웨이퍼 시대를 열었다.

삼성전자는 93년에는 반도체업계 최초로 200㎜ 웨이퍼 라인을 도입했었다.

삼성전자는 현재 이 라인에서 0.15㎛(미크론) 공정을 적용해 월 1천500장의 256메가 SD램 제품을 생산하고 있으며 내년에는 생산량을 더욱 늘리고 0.12㎛ 공정을 적용한 512메가 제품 등 대용량 메모리 반도체 제품을 양산할 계획이다.

또 2003년부터는 0.10㎛의 극초미세 공정을 적용한 512메가 제품을 양산하고 2004년까지는 0.07㎛ 공정기술을 양산에 적용할 방침이다.

삼성전자는 "300mm라인은 현재의 200mm 라인에 비해 생산량이 2.5배 증가해 제품의 원가를 대폭 낮출 수 있어 삼성전자는 300mm 라인의 조기 양산을 통해 차별화된 원가 경쟁력을 확보할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

삼성전자는 또한 지난 99년 256메가 D램 제품을 업계 처음으로 양산한 이후 2년만에 512메가 D램 제품을 10라인에서 세계 최초로 양산에 들어갔다.

삼성전자는 512메가 제품을 통해 차세대 대용량 메모리 시장을 선점하고 2002년에는 시장상황에 따라 점차적으로 생산량을 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자는 이번에 양산하는 제품은 초미세 공정기술인 0.12㎛ 공정을 적용한 첫 제품으로 현재 양산되는 반도체중 가장 미세한 공정이 적용됐다고 설명했다.

시장조사 기관인 세미코리서치에 따르면 512메가 D램은 2005년에는 275억달러 규모의 시장을 형성할 것으로 예상되고 있다.

삼성전자는 이와 함께 메모리 사업의 주력인 D램 분야에서는 512메가, 256메가 등 대용량 제품의 생산을 현재의 약 30%수준에서 연말까지 45% 수준으로 확대하고 램버스, DDR 등 차세대 제품의 생산비중도 현재의 30%에서 40%까지 확대하는 등 메모리 사업구조를 다각화하기로 하고 메모리 제품군별 사업전략을 발표했다.

삼성전자는 D램의 PC시장 의존도를 낮추고, 통신 및 디지털미디어 제품의 생산비중을 지속적으로 확대해 통신 및 디지털가전 D램 제품의 판매비중을 올해 약 21%에서 2005년까지 30% 이상으로 높일 예정이다.

삼성전자는 특히 S램, 플래시 제품 비중을 2005년에 50% 이상으로 높이고 고부가가치 제품 생산으로 이익구조를 획기적으로 개선해 2005년에 메모리 반도체 분야에서만 200억달러의 매출을 올릴 계획이다.