삼성전자, 40나노 32기가 낸드플래시 세계 첫 개발

삼성전자가 세계 최초로 40나노 32기가 낸드플래시 메모리를 개발했다.

삼성전자는 또 세계 최대 용량의 신물질 메모리인 512메가 P램(Phase Change RA M)과 세계 최초의 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC(System on Chip) 개발에도 성공했다.

삼성전자 반도체총괄 황창규 사장은 11일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 열어40나노 32기가 낸드플래시를 비롯한 최첨단 반도체 신제품을 발표하고 "작년 '플래시 러시(Flash Rush)'에 이어 올해는 새로운 디지털 세상을 여는 '플래시토피아(Fla shtopia)' 진입을 준비하는 첫해가 될 것"이라고 말했다.

삼성전자는 작년에 50나노 16기가 낸드플래시 개발에 이어 올해 40나노 32기가 낸드플래시를 개발함으로써 "1.5년만에 용량(집적도)이 2배로 늘어난다"는 '무어의 법칙'을 깨고 황 사장이 발표한 '메모리 신성장론'을 7년 연속 입증하는가 하면 6년연속으로 최첨단 나노기술을 세계 최초로 개발하는 데 성공했다.

삼성전자는 1999년 256메가를 개발한 데 이어 2000년 512메가, 2001년 1기가, 2 002년 2기가, 2003년 4기가, 2004년 8기가, 작년 16기가 등 메모리반도체의 용량을 매년 2배로 늘려왔다.

40나노 반도체 기술은 머리카락 두께 3천분의1의 초미세 기술로, 32기가 메모리용량은 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 메모리 기본 소자가 한 개의 오동작없이 엄지 손톱만한 크기에 집적돼 있는 것이다.

이 낸드플래시 16개를 붙여 64기가바이트 메모리카드로 제작하면 고해상도 사진3만6천장이나 영화 40편, 세계 5대양 6대주의 지리정보, 일간지 400년치 분량의 정보를 저장할 수 있다.

또 이 카드 열장이면 우리나라 국회도서관에 있는 220만권 장서 분량의 정보를 저장할 수도 있어 '손안의 도서관' 시대가 열리게 된다. 삼성전자는 40나노 기술이 본격 도입되는 2008년 이후 5년간 약 500억달러 이상의 낸드플래시 시장이 형성될 것으로 내다봤다.

삼성전자는 또 이날 코드 및 데이터 저장용으로 사용되는 플래시 계열 메모리의장점을 두루 갖춘 차세대 메모리 제품인 세계 최대용량의 신물질 메모리 512메가 P 램도 발표했다.

P램은 데이터 저장시 기존 데이터를 지우는 동작없이 직접 쓸 수 있어 프로그램속도가 기존 플래시 대비 30배 정도 빠르고 내구성도 최대 10배 이상 뛰어나 모바일기기의 성능 및 편의성이 획기적으로 향상되고 노어플래시 대비 공정스텝 수가 30% 줄어드는 등 원가 효율 측면에서도 경쟁력이 탁월하다. 삼성전자는 2008년부터 이 제품을 사업화해 고용량 노어 플래시 대체 제품으로 육성할 계획이다.

삼성전자는 이 밖에 고속 하이브리드 드라이브의 핵심 기능을 하나의 SoC에 내장한 세계 최초의 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC를 개발, 오는 11월부터 본격 양산키로 했다.

연합뉴스