SK하이닉스, 세계 최고층 238단 4D 낸드 개발 성공

176단 낸드 개발 1년 7개월 만에 차세대 기술개발
238단 512Gb TLC 7월 개발 완료...내년 상반기 양산

SK하이닉스가 개발한 238단 4D 낸드 / 사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 238단 512기가비트(Gb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발에 성공해 내년 상반기에는 양산에 돌입한다.

SK하이닉스는 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 3일 발표했다.

회사 측은 "2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다"며 "특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다. 내년 상반기 양산에 들어갈 계획"이라고 밝혔다.

이번 238단은 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌다. 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문이다.

전송 속도 역시 초당 2.4Gb로 이전 세대 대비 50% 빨라졌다. 또, 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량도 21% 줄었다.

한편, SK하이닉스는 이날 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit) 2022'에서 238단 4D 낸드를 공개했다.

행사 기조연설에 나선 SK하이닉스 최정달 부사장은 "당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다"며 "앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것"이라고 강조했다.