오픈엣지, 삼성전자 파운드리 5나노 저전력 D램 IP 개발

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 사진은 삼성전자 12나노급 16Gb DDR5 D램. 연합뉴스

반도체 설계자산(IP) 플랫폼 전문회사 오픈엣지테크놀로지[394280](이하 오픈엣지)는 5㎚(나노미터·10억분의 1ｍ) 공정을 지원하는 저전력 D램의 PHY(칩과 칩을 연결하는 인터페이스)를 삼성전자[005930] 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 제작한다고 20일 밝혔다.

IP란 반도체의 특정 기능을 회로로 구현한 설계 블록으로, 반도체 제품은 수많은 IP의 집합체라 볼 수 있다. PHY는 시스템 반도체에 탑재돼 D램 반도체와의 통신을 담당하는 역할을 맡는다.

오픈엣지가 설계를 마친 뒤 삼성전자에 제작을 맡긴 IP는 오토모티브용 8천533Mbps LPDDR5X/5/4X/4 PHY다.

오픈엣지의 PHY IP가 삼성전자 파운드리 사업부 공정에 적용되는 것은 14나노에 이어 이번이 두 번째다.

삼성전자 파운드리 사업부의 신종신 부사장은 "국내 최고 수준의 IP 기업인 오픈엣지와 추후 더 많은 협업을 통해 국내 시스템 반도체 시장을 함께 성장시켜 나가길 기대한다"고 말했다.

오픈엣지 이성현 대표는 "앞으로도 세계적인 반도체 기업과 지속적인 기술 협업으로 글로벌 시장에서의 신뢰와 입지를 확보해 나가겠다"고 말했다.