모바일용 메모리 F램 삼성전자 세계 첫 개발

삼성전자는 모바일용 차세대 반도체 메모리인 F램(Ferroelectric RAM:강유전체 메모리)을 세계 최초로 개발했다고 16일 발표했다.F램은 D램과 S램, 플래시메모리 등 기존 메모리의 특성 한계를 뛰어넘는 새로운 개념의 반도체 메모리로 고속동작이면서 비휘발성, 저전압, 저전력 등의 장점을 갖고 있는 제품이다.

삼성전자는 이번 F램 개발 성공으로 세계에서 집적도가 가장 높은 32Mb 제품기술과 이 기술을 적용한 4Mb F램의 샘플을 확보하고 이를 통해 휴대폰을 완벽히 동작시킴으로써 업계 최초로 F램이 모바일 기기에서 사용될 수 있음을 입증했다.

삼성전자의 4M F램은 기존 256Kb 제품 대비 16배의 대용량이며 3.0V의 저전압동작, 80ns(나노초:10억분의 1초)의 고속동작, 비휘발성 등의 특성을 갖추고 있다.또 후속공정에서 손상을 막는 강유전체보호 기술, 일체식각 기술, 초박막 강유전체 기술로 셀 크기 1㎛²의 한계를 극복하고 세계 최소인 0.94㎛²을 구현했다.