구미 ㈜SK실트론, 영국 IQE와 협력 협약 체결

무선통신∙전력 반도체용 GaN 웨이퍼 사업 진출, 미래성장동력 확보

장용호(오른쪽) SK실트론 대표이사 사장과 영국 IQE 아메리코 레모스 CEO가 전략적 협력 협약을 체결하고 기념촬영하고 있다. SK실트론 제공

구미국가산업단지 내 ㈜SK실트론은 최근 글로벌 에피택셜 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약을 체결했다고 11일 밝혔다.

이들 회사는 협약을 통해 맞춤형 GaN(질화 갈륨) 웨이퍼 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대 등 협력에 약속했다.

이에 따라 SK실트론은 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 각광받는 GaN 웨이퍼 시장에 본격 진출한다.

IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 전세계 반도체 제조사에 공급하는 글로벌 기업으로, 기술 진입 장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위를 차지하고 있다.

GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만들어진다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높은 특징을 가지고 있다. 급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5G 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용되고 있다.

장용호 SK실트론 대표이사 사장은 "첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다. IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다"고 말했다.

IQE의 CEO인 아메리코 레모스는 "IQE의 GaN 웨이퍼 제조기술과 SK실트론의 Si∙SiC 웨이퍼 역량의 시너지를 통해 혁신적인 솔루션을 출시할 것"이라고 했다.