삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 차세대 HBM 기술 선점에 대한 의지를 드러냈다.
삼성전자는 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026'에서 HBM5 목업을 공식적으로 처음 공개하고 HBM5에 처음으로 적용될 핵심 열관리 기술 'HPB(Heat Path Block)' 구조를 소개했다.
삼성전자는 HBM5에 1c(10나노급 6세대) D램과 2나노 공정을 선제적으로 적용할 계획이다.
HPB는 AI 메모리의 성능을 높이는 과정에서 발생할 수 있는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 다이와 다이 사이의 물리적 표면에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계됐다.
삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 구현 및 검증을 완료했다. 향후 HBM5부터 본격 적용해 성능과 안정성을 더욱 고도화할 계획이다.

































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