최첨단 '저전력 고집적 논리회로'기술 개발

충북대 최중범 교수팀, 日기술 추월 세계 선두수준 진입

소비전력을 크게 줄이면서도 집적도를 획기적으로 향상시킨 테라비트급 실리콘반도체 논리회로의 핵심기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

충북대 최중범 교수 연구팀은 자체 개발한 10나노미터(nm)급 실리콘 단전자 소자(SET) 제작기술을 기반으로 세계 최초로 웨이퍼 상에 '낸드(NAND) 및 노어(NOR) 논리회로'를 집적하는 데 성공했다고 16일 밝혔다. 기존 CMOS(상보형 금속 산화막 반도체)회로는 0 또는 1이라는 입력값에 의해서만 연산이 가능하고, 4가지 기본논리를 수행하기 위해서는 별도의 회로를 필요로 했으나 이번에 개발된 단전자 낸드.노어회로는 한 개의 회로에 0, 1, 2, 3 이라는 다중치의 입력값으로 연산과 4가지의 기본 논리를 수행할 수 있어 집적도를 크게 높였다고 최 교수는 설명했다. 10nm 이하의 테라급 집적회로에 기존의 CMOS를 이용하면 높은 소비전력으로 인해 동작회로의 온도가 태양의 표면온도까지 오르는 문제가 있었으나 다중치 로직회로는 소비전력을 획기적으로 줄여 기존 CMOS 회로의 한계를 극복할 수 있는 차세대 나노소자 회로의 하나로 주목받고 있다. 특히 이번 테라급 단전자 논리회로 기술은 우리나라가 취약한 비메모리 분야의 기술이어서 더 큰 의미를 갖고 있다.

연합뉴스