삼성전자, 세계 최초 3nm 파운드리 양산 시작

삼성전자 "기존 5나노 대비 전력 45% 절감, 성능 23% 증가 효과"

삼성전자가 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다. 사진은 3나노 파운드리 양산에 참여한 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조＆인프라 총괄 주역들이 기념 촬영하는 모습. 연합뉴스

삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정 초도 양산을 시작했다고 30일 공식 발표했다.

반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 꼽힌다. 회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상돼서다. 지금까지 삼성전자와 대만 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였다.

삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄일 수 있다고 설명했다. 내년에 도입될 예정인 3나노 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 성능이 예상된다고 회사는 설명했다.

이번 3나노 공정은 첨단 파운드리 EUV(극자외선) 공정이 적용되는 삼성전자 화성캠퍼스 S3 라인에서 생산된다.

삼성전자는 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Performance Computing)용 시스템 반도체 양산에 3나노 공정을 우선 적용하고 향후 모바일 SoC(시스템온칩) 등으로 확대한다는 방침이다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 "삼성전자는 파운드리 업계 최초로 FinFET, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 GAA 기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스를 세계 최초로 제공하게 됐다"며 "앞으로도 차별화된 기술을 적극적으로 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다"고 밝혔다.