삼성 반도체 기술 中에 빼돌린 전 삼성전자 임원·수석연구원 구속

서울 서초구 삼성전자 서초사옥. 연합뉴스

삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 관련 핵심 기술을 중국에 유츌해 직접 생산까지 시도한 삼성전자 전 임원과 수석연구원이 10일 검찰에 구속 송치됐다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 산업기술법·부정경쟁방지법 위반, 업무상 배임 등 혐의를 받는 전직 삼성전자 임원 최모(66)씨와 전 삼성전자 수석연구원 오모(60)씨를 이날 구속 송치했다고 밝혔다.

앞서 최씨는 2020년 9월 중국 지방정부와 합작으로 회사를 설립한 후 삼성전자에서 수석연구원을 지낸 오씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입해 삼성전자 메모리 반도체 핵심기술 유출·부정사용 혐의를 받는다.

최씨는 삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지냈으며 20나노급 D램 반도체 제조를 목표로 삼성전자가 최초로 개발한 공정단계별 핵심기술을 빼돌려 2020년 4월 실제 반도체로서의 기능을 측정하는 기초 개발제품을 생산했다.

오씨는 이 과정에서 삼성전자의 핵심기술을 유출해 청두가오전으로 이직해 공정설계실장으로 일하며 핵심적인 역할한 것으로 조사됐다.

경찰에 따르면 삼성전자 18나노급 공정 개발비용은 약 2조3천억원, 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조원에 달하는 것으로 전해졌다.

경찰은 최씨의 회사에 근무했던 국내 기술 인력 30여명과 채용 과정에서 불법 인력 유출이 있었는지 등에 대한 수사도 이어갈 방침이라고 밝혔다.